Fuji Elec composants électroniques
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Fuji Elec : composants par catégorie
Fuji Elec
| Référence | Catégorie | Description | STOCK |
|---|---|---|---|
| FML19N50G | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 6,495 |
| 6MBI15GS-060 | Insulated Gate Bipolar Transistors | Insulated Gate Bipolar Transistor, 15A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | 1,634 |
| 2SJ314-01S | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 60V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 | 995 |
| 2SK2649-01R | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 800V, 1.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 500 |
| 2SK2761-01MR | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 600V, 1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 139 |
| 6DI20C-050 | Power Bipolar Transistors | Power Bipolar Transistor, 20A I(C), 600V V(BR)CEO, 6-Element, NPN, Silicon | 88 |
| 6MBI75UB-120 | Insulated Gate Bipolar Transistors | Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel | on request |
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