USCI composants électroniques
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USCI : composants par catégorie
USCI
| Référence | Catégorie | Description | STOCK |
|---|---|---|---|
| UJ2D1210T | Rectifier Diodes | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | 395 |
| UJ2D1220K | Rectifier Diodes | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247AD | 240 |
| UJD06504TS | Rectifier Diodes | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 4A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | 240 |
| UJD06506TS | Rectifier Diodes | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 6A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | 240 |
| UJD06508TS | Rectifier Diodes | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 8A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | 240 |
| UJD06510TS | Rectifier Diodes | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 10A, 650V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | 200 |
| UJ2D1215T | Rectifier Diodes | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-220AC | 195 |
| UJ2D1230K | Rectifier Diodes | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 15A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-247AD | 180 |
| UJN1205K | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 1200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction FET, TO-247 | 46 |
| UJN1208K | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1200V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction FET, TO-247 | on request |
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