RÉFÉRENCE :
BUZ357 Power Field-Effect Transistors
Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG)
BUZ357 de Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG) est disponible chez ComSIT sur demande. Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA. Cycle de vie : Discontinued / Discontinued. Composants d’origine certifiés, meilleur prix, livraison rapide dans le monde entier. Demandez un devis
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| PARTNUMBER | BUZ357 |
| MANUFACTURER | Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | SIPMOS POWER TRANSISTOR |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 5.1A I(D), 1000V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-218AA |
| LC CODE | 5.00 |
| CAGE CODE | C6489, 4KYR2 |
| PART STATUS | Discontinued |
| LIFECYCLESTAGE | Discontinued |
