BAUTEIL:
BSP315E6327 Power Field-Effect Transistors
Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG)
BSP315E6327 von Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG) ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET. Lebenszyklus: Discontinued / Discontinued. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | BSP315E6327 |
| MANUFACTURER | Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | SIPMOS SMALL-SIGNAL TRANSISTOR |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 1.1A I(D), 50V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
| MFR. PKG. DESC. | SOT-223, 4 PIN |
| LC CODE | 5.00 |
| CAGE CODE | C6489, 4KYR2 |
| PART STATUS | Discontinued |
| LIFECYCLESTAGE | Discontinued |
