BAUTEIL:
CSD19502Q5B Power Field-Effect Transistors
TI (TEXAS INSTRUMENTS INC)
CSD19502Q5B von TI (TEXAS INSTRUMENTS INC) ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 157A I(D), 80V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET. Lebenszyklus: Active / Mature. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | CSD19502Q5B |
| MANUFACTURER | TI (TEXAS INSTRUMENTS INC) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | 80 V N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 157A I(D), 80V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
| LC CODE | 3.00 |
| CAGE CODE | 01295, 33809 |
| ALERT DATE | 18-May-2025 |
| PART STATUS | Active |
| LIFECYCLESTAGE | Mature |
