BAUTEIL:
BUK7Y12-55B Power Field-Effect Transistors
Nexperia
BUK7Y12-55B von Nexperia ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 61.8A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235. Lebenszyklus: Active / Mature. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | BUK7Y12-55B |
| MANUFACTURER | Nexperia (NEXPERIA) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | N-CHANNEL TRENCHMOS STANDARD LEVEL FET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 61.8A I(D), 55V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-235 |
| MFR. PKG. DESC. | LFPAK-4 |
| LC CODE | 3.00 |
| CAGE CODE | H2HX9 |
| ALERT DATE | 05-Nov-2021 |
| PART STATUS | Active |
| LIFECYCLESTAGE | Mature |
