BAUTEIL:
IRF220 Power Field-Effect Transistors
Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG)
IRF220 von Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG) ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA. Lebenszyklus: Active / Mature. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | IRF220 |
| MANUFACTURER | Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | TO-3 N-CHANNEL HERMETIC PACKAGE MOS HEXFET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AA |
| LC CODE | 3.00 |
| CAGE CODE | C6489, 4KYR2 |
| ALERT DATE | 05-Nov-2021 |
| PART STATUS | Active |
| LIFECYCLESTAGE | Mature |
