BAUTEIL:
FDP3652 Power Field-Effect Transistors
Onsemi
FDP3652 von Onsemi ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB. Lebenszyklus: NRFND / Decline. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | FDP3652 |
| MANUFACTURER | Onsemi (ONSEMI) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | 100 V, 61 A, 16 MILLI OHM N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 100V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
| MFR. PKG. DESC. | TO-220AB, 3 PIN |
| LC CODE | 4.00 |
| CAGE CODE | 1MQ07, 5V1P1, 59PE1 |
| ALERT DATE | 10-Jan-2022 |
| PART STATUS | NRFND |
| LIFECYCLESTAGE | Decline |
