BAUTEIL:
RJK0629JPE-00-J3 / RJK0629JPE00J3 Power Field-Effect Transistors
Renesas (RENESAS ELECTRONICS CORP)
RJK0629JPE-00-J3 von Renesas (RENESAS ELECTRONICS CORP) ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET. Lebenszyklus: NRFND / Decline. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | RJK0629JPE-00-J3 |
| MANUFACTURER | Renesas (RENESAS ELECTRONICS CORP) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | 60 V, 85 A SILICON N CHANNEL HIGH SPEED POWER SWITCHING MOS FET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 85A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
| LC CODE | 4.00 |
| CAGE CODE | 6LTM0, 34371, 8QEK4, 4MHN3 |
| ALERT DATE | 02-Jul-2020 |
| PART STATUS | NRFND |
| LIFECYCLESTAGE | Decline |
