BAUTEIL:
FCP190N60E Power Field-Effect Transistors
Onsemi
FCP190N60E von Onsemi ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET. Lebenszyklus: Active. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | FCP190N60E |
| MANUFACTURER | Onsemi (ONSEMI) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | 600 V N-CHANNEL MOSFET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 20.6A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
| LC CODE | 0.00 |
| CAGE CODE | 1MQ07, 5V1P1, 59PE1 |
| PART STATUS | Active |
