BAUTEIL:
IPW60R099C6 Power Field-Effect Transistors
Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG)
IPW60R099C6 von Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG) ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247. Lebenszyklus: NRFND / Decline. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | IPW60R099C6 |
| MANUFACTURER | Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | 600 V COOLMOS C6 POWER MOSFET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 37.9A I(D), 600V, 0.099ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247 |
| MFR. PKG. DESC. | GREEN, PLASTIC PACKAGE-3 |
| LC CODE | 4.00 |
| CAGE CODE | C6489, 4KYR2 |
| ALERT DATE | 04-Jan-2022 |
| PART STATUS | NRFND |
| LIFECYCLESTAGE | Decline |
