BAUTEIL:
IRF630 Power Field-Effect Transistors
Harris (HARRIS SEMICONDUCTOR)
IRF630 von Harris (HARRIS SEMICONDUCTOR) ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB. Lebenszyklus: Discontinued / Discontinued. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | IRF630 |
| MANUFACTURER | Harris (HARRIS SEMICONDUCTOR) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | AVALANCHE ENERGY RATED N-CHANNEL POWER MOSFET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 200V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB |
| LC CODE | 5.00 |
| CAGE CODE | 27410 |
| PART STATUS | Discontinued |
| LIFECYCLESTAGE | Discontinued |
