RÉFÉRENCE :
SIHB24N65E-GE3 / SIHB24N65EGE3 Power Field-Effect Transistors
Vishay (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC)
SIHB24N65E-GE3 de Vishay (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC) est disponible chez ComSIT sur demande. Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET. Cycle de vie : Active. Conforme RoHS. Composants d’origine certifiés, meilleur prix, livraison rapide dans le monde entier. Demandez un devis
Tous les composants Vishay · Tous : Power Field-Effect Transistors
| PARTNUMBER | SIHB24N65E-GE3 |
| MANUFACTURER | Vishay (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | POWER MOSFET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
| LC CODE | 0.00 |
| CAGE CODE | 18612, 0LCA7, K4184, C2817, 09969 |
| PART STATUS | Active |
