BAUTEIL:
SIHB24N65E-GE3 / SIHB24N65EGE3 Power Field-Effect Transistors
Vishay (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC)
SIHB24N65E-GE3 von Vishay (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC) ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET. Lebenszyklus: Active. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | SIHB24N65E-GE3 |
| MANUFACTURER | Vishay (VISHAY INTERTECHNOLOGY INC) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | POWER MOSFET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
| LC CODE | 0.00 |
| CAGE CODE | 18612, 0LCA7, K4184, C2817, 09969 |
| PART STATUS | Active |
