IR-HiRel componenti elettronici
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IR-HiRel: componenti per categoria
IR-HiRel
| Articoli | Categoria | Descrizione | STOCK |
|---|---|---|---|
| IRF7379TR | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | 12,000 |
| IRF9952TR | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 4,000 |
| IRFR4104TR | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA | 2,225 |
| IRF7201TR | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | 2,135 |
| IRLL3303TR | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | 1,535 |
| IRF520N | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB | 950 |
| IRF7809AVTR | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 13.3A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | 950 |
| IRF7474 | Small Signal Field-Effect Transistors | Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 730 |
| IRFL4105TR | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA | 650 |
| IRF3711S | Power Field-Effect Transistors | Power Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET | 600 |
| IRF7811AV | Small Signal Field-Effect Transistors | Small Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA | 59 |
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