IR-HiRel componentes electrónicos

ComSIT dispone de 11 números de parte de IR-HiRel (11 disponibles en stock) en 2 categorías de producto. Componentes originales y certificados, mejor precio, envío rápido a todo el mundo. Haga clic en un número de parte para ver las especificaciones completas, el estado del ciclo de vida y solicitar una cotización.

IR-HiRel

No. de ParteCategoríaDescripciónDisponibilidad
  IRF7379TRPower Field-Effect TransistorsPower Field-Effect Transistor, 5.8A I(D), 30V, 0.045ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA12,000
  IRF9952TRPower Field-Effect TransistorsPower Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 30V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET4,000
  IRFR4104TRPower Field-Effect TransistorsPower Field-Effect Transistor, 42A I(D), 40V, 0.0055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA2,225
  IRF7201TRPower Field-Effect TransistorsPower Field-Effect Transistor, 7.3A I(D), 30V, 0.03ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA2,135
  IRLL3303TRPower Field-Effect TransistorsPower Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 30V, 0.031ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA1,535
  IRF520NPower Field-Effect TransistorsPower Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB950
  IRF7809AVTRPower Field-Effect TransistorsPower Field-Effect Transistor, 13.3A I(D), 30V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA950
  IRF7474Small Signal Field-Effect TransistorsSmall Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET730
  IRFL4105TRPower Field-Effect TransistorsPower Field-Effect Transistor, 3.7A I(D), 55V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA650
  IRF3711SPower Field-Effect TransistorsPower Field-Effect Transistor, 110A I(D), 20V, 0.006ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET600
  IRF7811AVSmall Signal Field-Effect TransistorsSmall Signal Field-Effect Transistor, 10.8A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA59

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