BAUTEIL:
SCT10N120 Power Field-Effect Transistors
ST Micro (STMICROELECTRONICS)
SCT10N120 von ST Micro (STMICROELECTRONICS) ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET. Lebenszyklus: Active / Mature. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
Alle Bauteile von ST Micro · Alle Power Field-Effect Transistors
| PARTNUMBER | SCT10N120 |
| MANUFACTURER | ST Micro (STMICROELECTRONICS) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | SILICON CARBIDE POWER MOSFET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 1200V, 0.69ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET |
| LC CODE | 3.00 |
| CAGE CODE | F8859, 50088, SCR76, 66958 |
| ALERT DATE | 13-Dec-2022 |
| PART STATUS | Active |
| LIFECYCLESTAGE | Mature |
