BAUTEIL:
FQPF19N10 Power Field-Effect Transistors
Onsemi
ComSIT hat 600 Stück FQPF19N10 von Onsemi auf Lager. Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET. Lebenszyklus: EOL / Phase-Out. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| STOCK | 600 |
| PARTNUMBER | FQPF19N10 |
| MANUFACTURER | Onsemi (ONSEMI) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | 100 V, 13.6 A, 100 MILLI OHM N-CHANNEL MOSFET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 13.6A I(D), 100V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
| MFR. PKG. DESC. | TO-220F, 3 PIN |
| LC CODE | 4.00 |
| CAGE CODE | 1MQ07, 5V1P1, 59PE1 |
| ALERT DATE | 23-Dec-2021 |
| PART STATUS | EOL |
| LIFECYCLESTAGE | Phase-Out |
| STOCK | 600 |
