BAUTEIL:
BSC252N10NSFG Power Field-Effect Transistors
Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG)
BSC252N10NSFG von Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG) ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.0252ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET. Lebenszyklus: Active / Mature. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | BSC252N10NSFG |
| MANUFACTURER | Infineon (INFINEON TECHNOLOGIES AG) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | OPTIMOS 2 POWER-TRANSISTOR |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.0252ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
| MFR. PKG. DESC. | GREEN, PLASTIC, TDSON-8 |
| LC CODE | 3.00 |
| CAGE CODE | C6489, 4KYR2 |
| ALERT DATE | 05-Nov-2021 |
| PART STATUS | Active |
| LIFECYCLESTAGE | Mature |
