RÉFÉRENCE :
2SJ352-E / 2SJ352E Power Field-Effect Transistors
Renesas (RENESAS ELECTRONICS CORP)
2SJ352-E de Renesas (RENESAS ELECTRONICS CORP) est disponible chez ComSIT sur demande. Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET. Cycle de vie : NRFND / Decline. Conforme RoHS. Composants d’origine certifiés, meilleur prix, livraison rapide dans le monde entier. Demandez un devis
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| PARTNUMBER | 2SJ352-E |
| MANUFACTURER | Renesas (RENESAS ELECTRONICS CORP) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | SILICON P CHANNEL MOS FET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
| MFR. PKG. DESC. | SC-65, TO-3P, 3 PIN |
| LC CODE | 4.00 |
| CAGE CODE | 6LTM0, 34371, 8QEK4, 4MHN3 |
| ALERT DATE | 10-Jan-2022 |
| PART STATUS | NRFND |
| LIFECYCLESTAGE | Decline |
