BAUTEIL:
2SJ352-E / 2SJ352E Power Field-Effect Transistors
Renesas (RENESAS ELECTRONICS CORP)
2SJ352-E von Renesas (RENESAS ELECTRONICS CORP) ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET. Lebenszyklus: NRFND / Decline. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | 2SJ352-E |
| MANUFACTURER | Renesas (RENESAS ELECTRONICS CORP) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | SILICON P CHANNEL MOS FET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 200V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET |
| MFR. PKG. DESC. | SC-65, TO-3P, 3 PIN |
| LC CODE | 4.00 |
| CAGE CODE | 6LTM0, 34371, 8QEK4, 4MHN3 |
| ALERT DATE | 10-Jan-2022 |
| PART STATUS | NRFND |
| LIFECYCLESTAGE | Decline |
