PARTE:
A2T09VD250NR1 RF Power Field-Effect Transistors
NXP (NXP SEMICONDUCTORS)
A2T09VD250NR1 de NXP (NXP SEMICONDUCTORS) está disponible en ComSIT bajo pedido. RF Power Field-Effect Transistor. Ciclo de vida: Active. Conforme a RoHS. Componentes originales y certificados, mejor precio, envío rápido a todo el mundo. Solicite una cotización
Todos los componentes de NXP · Todos: RF Power Field-Effect Transistors
| PARTNUMBER | A2T09VD250NR1 |
| MANUFACTURER | NXP (NXP SEMICONDUCTORS) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | RF Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > RF Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| DESCRIPTION | RF Power Field-Effect Transistor |
| LC CODE | 0.00 |
| CAGE CODE | H1R01, H0H68, H1V34 |
| PART STATUS | Active |
