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A2T09VD250NR1 RF Power Field-Effect Transistors
NXP (NXP SEMICONDUCTORS)
A2T09VD250NR1 di NXP (NXP SEMICONDUCTORS) è disponibile presso ComSIT su richiesta. RF Power Field-Effect Transistor. Ciclo di vita: Active. Conforme RoHS. Componenti originali e certificati, miglior prezzo, consegna rapida in tutto il mondo. Richiedi un’offerta
Tutti i componenti NXP · Tutti: RF Power Field-Effect Transistors
| PARTNUMBER | A2T09VD250NR1 |
| MANUFACTURER | NXP (NXP SEMICONDUCTORS) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | RF Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > RF Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| DESCRIPTION | RF Power Field-Effect Transistor |
| LC CODE | 0.00 |
| CAGE CODE | H1R01, H0H68, H1V34 |
| PART STATUS | Active |