BAUTEIL:
A2T09VD250NR1 RF Power Field-Effect Transistors
NXP (NXP SEMICONDUCTORS)
A2T09VD250NR1 von NXP (NXP SEMICONDUCTORS) ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. RF Power Field-Effect Transistor. Lebenszyklus: Active. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | A2T09VD250NR1 |
| MANUFACTURER | NXP (NXP SEMICONDUCTORS) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | RF Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > RF Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | RF POWER LDMOS TRANSISTOR |
| DESCRIPTION | RF Power Field-Effect Transistor |
| LC CODE | 0.00 |
| CAGE CODE | H1R01, H0H68, H1V34 |
| PART STATUS | Active |
