ARTICOLO:
UJN1208K Power Field-Effect Transistors
USCI (UNITED SILICON CARBIDE INC)
UJN1208K di USCI (UNITED SILICON CARBIDE INC) è disponibile presso ComSIT su richiesta. Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1200V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction FET, TO-247. Ciclo di vita: Contact Mfr. Conforme RoHS. Componenti originali e certificati, miglior prezzo, consegna rapida in tutto il mondo. Richiedi un’offerta
Tutti i componenti USCI · Tutti: Power Field-Effect Transistors
| PARTNUMBER | UJN1208K |
| MANUFACTURER | USCI (UNITED SILICON CARBIDE INC) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | 80 MILLI OHM-1200 V SIC NORMALLY-ON JFET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1200V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction FET, TO-247 |
| MFR. PKG. DESC. | TO-247, 3 PIN |
| LC CODE | 0.00 |
| PART STATUS | Contact Mfr |
