BAUTEIL:
UJN1208K Power Field-Effect Transistors
USCI (UNITED SILICON CARBIDE INC)
UJN1208K von USCI (UNITED SILICON CARBIDE INC) ist bei ComSIT auf Anfrage erhältlich. Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1200V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction FET, TO-247. Lebenszyklus: Contact Mfr. RoHS-konform. Originale, zertifizierte Bauteile, bester Preis, schnelle weltweite Lieferung. Fragen Sie ein Angebot an
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| PARTNUMBER | UJN1208K |
| MANUFACTURER | USCI (UNITED SILICON CARBIDE INC) |
| TYPE | Transistors |
| CATEGORY | Power Field-Effect Transistors (Semiconductors > Transistors > Power Field-Effect Transistors) |
| MFR. DESC | 80 MILLI OHM-1200 V SIC NORMALLY-ON JFET |
| DESCRIPTION | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 1200V, 0.095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Junction FET, TO-247 |
| MFR. PKG. DESC. | TO-247, 3 PIN |
| LC CODE | 0.00 |
| PART STATUS | Contact Mfr |
